标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：SIPMOS®

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：530pF @ 25V

功率 - 最大值：40W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：PG-TO263-3

其它名称：BUZ73E3046XBUZ73E3046XKSP000011963